透射電鏡基本構造與光學顯微鏡相似，主要由光源、物鏡和投影鏡三部分組成，只不過用電子束代替光束，用磁透鏡代替玻璃透鏡。光源由電子槍和一或兩個聚光鏡組成，其作用是得到具有確定能量的高亮度的聚焦電子束。

透鏡的成像作用可以分為兩個過程：第一個過程是平行電子束遭到物的散射作用而分裂成為各級衍射譜，即由物變換到衍射的過程；第二個過程是各級衍射譜經過干涉重新在像平面上會聚成諸像點，即由衍射重新變換到物（像是放大了的物）的過程。晶體對于電子束就是一個三維光柵。

透射電鏡（圖片來源于網絡）

影響TEM的三要素：分辨率，放大倍數，襯度

1、分辨率

大孔徑角的磁透鏡，100KV時，分辨率可達0.005nm。實際TEM只能達到0.1－0.2nm，這是由于透鏡的固有像差造成的。提高加速電壓可以提高分辨率。已有300KV以上的商品高壓（或超高壓）電鏡，高壓不僅提高了分辨率，而且允許樣品有較大的厚度，推遲了樣品受電子束損傷的時間，因而對高分子的研究很有用。但高加速電壓意味著大的物鏡，500KV時物鏡直徑45－50cm。對高分子材料的研究所適合的加速電壓，最好在250KV左右。

2、放大倍數

電鏡最大的放大倍數等于肉眼分辨率（約0.2mm）除以電鏡的分辨率0.2nm，因而在106數量級以上。

3、襯度

a．樣品越厚，圖像越暗；

b．原于序數越大，圖像越暗；

c．密度越大，圖像越暗；

其中，密度的影響最重要，因為高分子的組成中原于序數差別不大，所以樣品排列緊密程度的差別是其反差的主要來源。