我國(guó)自主研發(fā)可控芯片應(yīng)用于武漢1000千伏變電站二次設(shè)備，該電站于近日完成二次設(shè)備掛網(wǎng)招標(biāo)。作為中國(guó)基建實(shí)力代表的特高壓變電站，這是第一次應(yīng)用自主可控芯片。該次應(yīng)用對(duì)我國(guó)實(shí)現(xiàn)芯片自主可控具有重要意義。

武漢1000千伏變電站本期新建二次及通信設(shè)備25類，其中自動(dòng)化、直流電源及輔助設(shè)備12類，保護(hù)設(shè)備10類，通信設(shè)備3類。自主可控芯片試點(diǎn)中，自動(dòng)化、直流電源及輔助設(shè)備中5類進(jìn)行試點(diǎn)，保護(hù)設(shè)備10類全部進(jìn)行試點(diǎn)，通信設(shè)備中1類進(jìn)行試點(diǎn)，共計(jì)試點(diǎn)芯片設(shè)備16類，自主可控芯片試用率為64%。

特高壓變電站二次設(shè)備運(yùn)行所處電磁環(huán)境惡劣，其對(duì)電站的安全、可靠運(yùn)行具有重要意義。其中，可控芯片是電站二次裝備核心器件，涉及電站關(guān)鍵裝置，掌握著電站命脈。

此前，變電站二次及通信設(shè)備芯片以往均依賴進(jìn)口，核心技術(shù)發(fā)展受到限制，國(guó)內(nèi)缺乏自力更生的技術(shù)支持，形勢(shì)不容樂觀。

2020年9月，國(guó)網(wǎng)特高壓事業(yè)部組織國(guó)網(wǎng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)研究院、中國(guó)電力科學(xué)研究院、中南電力設(shè)計(jì)院有限公司等單位成立專項(xiàng)工作組，以武漢1000千伏變電站為試點(diǎn)，對(duì)武漢站采用自主可控芯片的二次設(shè)備開展系列專題研究。

工作組首先確定試用原則和試用方案，本期掛網(wǎng)試運(yùn)行具備芯片自主可控條件的控制保護(hù)設(shè)備；對(duì)于其他二次、通信設(shè)備，已完成研發(fā)檢測(cè)、能夠滿足投運(yùn)時(shí)間要求的控制保護(hù)設(shè)備，均開展試用。

目前，絕大多數(shù)采用自主可控芯片的二次設(shè)備均可通過專項(xiàng)測(cè)試為推動(dòng)自主可控芯片設(shè)備在電網(wǎng)工程中的應(yīng)用落地。

武漢站自主可控芯片的大規(guī)模工業(yè)化應(yīng)用，一方面將升級(jí)電力設(shè)備制造業(yè)；另一方面，標(biāo)志著我國(guó)電力工控領(lǐng)域核心芯片從“進(jìn)口通用”向“自主專用”轉(zhuǎn)變，電力二次設(shè)備核心元器件做到了自主可控。此外，該芯片問世也將促進(jìn)國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)的產(chǎn)業(yè)升級(jí)，從應(yīng)用—反饋—升級(jí)到再應(yīng)用的反復(fù)迭代，將促進(jìn)自主可控芯片制造、芯片應(yīng)用、芯片優(yōu)化等的立體升級(jí)。