受到供求關系、復雜的國際環境以及高成本的壓力等，越來越多國家加快研發全新的芯片制造技術、光刻機技術，推動芯片國產替代，著力擺脫芯片面臨著被“卡脖子”的困境。對于我國，光刻機一項核心技術現已經實現重大突破，這一突破，有望在芯片制造技術上打破荷蘭的壟斷！

變革芯片技術，擺脫“卡脖子”困境

由于國際環境變幻莫測，近期北方某國也無法再獲得光刻機供應，芯片進口也面臨阻礙，因此該國已計劃研發全新的芯片制造技術。據悉，北方某國計劃以X射線進行光刻，其具有一定的可行性。因為它的波長比ASML所采用極紫外線還要短，X射線波長基于0.01nm-10nm之間。

EUV極紫外線波長長度為13.5nm，X射線光刻機無需光掩模就可以直接光刻，此舉可以大幅降低芯片制造成本，同時在精準度方面也更高。無獨有偶，日本企業其實早在去年就已研發無需光刻機的新芯片制造技術，即納米壓印微影(NIL)技術，可應用于5nm工藝，打破當下DUV光刻機只可以應用于最高7nm工藝的限制，而且成本更低。

打破國外壟斷，芯片國產替代可期

現狀下，我國的芯片面臨著被“卡脖子”，此前就出現過迫于某國壓力，扣留EUV設備出口到中國許可證的情況。再加上受半導體市場規模擴大影響，許多資本開始進入半導體賽道。而在眾多資金加持下，國內企業開始頻頻傳出喜訊。光刻機雙工作臺、刻蝕機、薄膜機等制造芯片的關鍵設備，目前都已實現自研。

芯片制造需要光刻機，其是芯片制造中的核心設備，涉及各種高端先進技術，據說機器有80000多個零件，是半導體制造中技術含量最高的設備。

當下，我國的光刻機技術也在逐步實現突破，一步步打破荷蘭等國外的壟斷。光刻機主要由投影物鏡、光源、以及工作臺三個核心系統構成。工作臺是步進掃描投影光刻機的核心子系統，現在在工作臺這一技術上已經有了重大突破。

日前，在清華大學機械工程系教授朱煜牽頭作用下，中國光刻機核心零部件頂級供應商華卓精科公司的光刻機雙工作臺宣布研發成功，這無疑打破了荷蘭ASML在光刻機雙工作臺技術上的壟斷。據說，雙工作臺的處理速度多達每小時270-300片，芯片制造效率提升35%，精度提升10%以上。

不僅如此，中國芯片企業華為海思還研發了芯片堆疊技術，中芯國際的7nm工藝輔以芯片堆疊技術，這些都充分說明國產芯片制造行業取得重大突破。芯片制造行業完全可以通過研發其他技術繞過EUV光刻機的限制，提升芯片的性能，甚至生產芯片的成本比EUV光刻機更低。

實際上，我們已看到，業界現已經采用了“芯片堆疊”、“芯片拼接”、“3D光刻機”等技術，芯片性能也在一定程度上得到提升。隨著芯片制造技術的變革，或許都對國外技術的依賴將逐漸減弱。從長遠來看，國產芯片制造技術有望迎來高速發展。